Добрый день,

Как всем известно при запайке BGA чипа есть риск его перекоптить. Некоторые ремонтники ложат/кладут на кристалл кусок фольги величиной в сам кристалл, чтобы отражал ИК лучи.
На сколько оправдан и целесообразен этот метод, или вообще не рекомендуете? Какие есть противопоказания?

А сам кристалл типа не отражает?)

Целесообразен. Законы физики не учили? Тепло поглощают больше всего темные поверхности, меньше всего белые и зеркальные металлические, термосы не просто так покрывают зеркальным слоем т.к. происходит максимальное отражение тепла обратно, а не поглощение его поверхностью. Если нет непосредственно под кристаллом контактов, то вполне рабочий вариант. Иначе есть шанс оторвать чип с этими же контактами


Если открытый отражает, но не известно настолько эффективно, все же его структура внутри имеет не однородную структуру.

Если под ним нет контактов, ничего в этом нет криминального, кристалл все же кусок кремния, и он деградирует от температур выше 70-80 градусов.
Даже если ему спасти пару часов жизни почему нет? Фольга дорогая? А что бывают только зеркальные и открытые чипы? Гениально, додумать, и мыслить ограничено.
Когда BGA чипов полно в разных исполнениях.

nullik
Гениально. Заклеивать блестящий кристалл блестящей фольгой

Пайка предусматривает нагрев, а вы пытаетесь защитить кристал от нагрева.
Нет ли здесь противоречия?
Можно, конечно и заклеить, кто может помешать? Но тогда греть придется дольше.
Заклеивают соседние элементы, чтобы их не перегревать.

Нулик - это местный теоретик, все его сентенции по практическим вопросам - полный ноль!

Вопрос был про заклеивание кристалла. Про какие-то другие чипы это как раз ты додумал.
Угу, когда работает.
Serge_L
Да там и с теорией как-то не очень сложилось

Кому "всем"? Хотя... если засунуть в коптилку, то да, можно и перекоптить.

Скорее "ложат", ибо это слово больше отражает уровень знаний подобных "ремонтников".

1) верхний нагрев используется как дополнительный источник тепла для донагрева куска платы чуть большего, чем сам чип. Основной нагрев - это низ. В идеале вообще закрытая камера с конвекцией равномерно прогретого воздуха, но в условиях ремонтной мастерской то невыполнимо.
Если приходится сильно догревать сверху, то чип Вы перегреете безотносительно того, будет на нём лежать фольга, или нет.
2) нагрев должен быть равномерный и правильный по температурным режимам (отношение температура/время нагрева). Соблюдение правильных режимов пайки - гарантия того, что ничего не будет перегрето.

Ну конечно, куда мне до инженеров с ардуино и светодиодами...
Сразу видно ваше образование далекое от инженера, и что вы плаваете в вопросе так, что не можете отличить теорию от гипотезы.
Теория это язык описания практического опыта, для передачи другому человеку.

Хех, давай даже вики возьмём


Кстати, мне бы ещё хотелось увидеть пруф на деградацию кремния при 70-80 градусах.

Ну, собственно, кремний сам по себе (без приложенного воздействия), да и большинство структур на его основе, спокойно переносят и за 400 градусов Цельсия!
Вот готовые приборы - нет. Но тут проблема, в первую очередь, в пайках (для флип-чип технологии), компаунде и материале корпуса.
Другое дело, под напряжением, в схеме. С увеличением температуры зона проводимости заполняется, постепенно полупроводник приближается к вырожденному - для упрощения скажем, становится неким проводником с константным сопротивлением.
Плюс ещё куча механизмов возбуждения дефектов в диэлектриках (для МДП структур).
Вывод: при пайке (мы ж не идиоты? Верно? Мы ОТКЛЮЧАЕМ источник питания до пайки?) критической температурой является температура плавления шаров для флип-чип/разрушения (резкого изменения объема) защитного компаунда - в даташитах указана эта критическая температура. Для флип-чип, как правило - 230-240, для обычных элементов поболее.
Но никакой необратимой деградации самого п/п при такой температуре нет.
---------- Добавлено спустя 1 минуту 2 секунды: ----------
А то меня Нулик вечно тыкает носом, что мне академичности недостаёт в ответах - получите много слов!)))
---------- Добавлено спустя 3 минуты 10 секунд: ----------
Стал перечитывать - решил сам себя поправить)))
Кремнию без тонких пленок плевать и на 1000 градусов, кстати!
Классический способ формирования подзатворного диэлектрика - выращивание термической двуокиси кремния в атмосфере кислорода при тысяче градусов.
---------- Добавлено спустя 15 минут 9 секунд: ----------
А по тестеру - да сделайте каждый сам то, что нужно ему самому!
Нет?
Тогде выбираем из имеющегося!
По нагрузке и QC - можно воткнуть в сложный вариант!
Задачи такой не стояло просто!
То, что стояло - реализовано!
Измеритель сопротивлений можно было вообще реализовать без процессора, а вот эмуляцию хид-а, стм-ка самый «вкусный» вариант!
При чем тут ардуинка, хз)))
Хотя, наверное, можно и на ней)
Я не искусный кодописатель, хз!

А ещё JEDEC пишет что нужно поместить чипы в сушильную камеру при температуре 125 градусов на 24 часа. Как же так, кремний же деградирует.


Не знаю уж куда он там деградировать может, но пока у меня есть пруфы что такие температурные режимы вполне допустимы даже для готовых изделий. А ваши пруфы, нулик?

Лучше б в 475 в атмосферу азота))) Можно даже часть дохлых восстановить)
Но отпаяются, гады!)

Это так же как углеродом, он на воздухе окисляется и распадается, но вы этого не видите, так как скорость реакций маленькая. С повышением температур скорость распада и окисления увеличиваются на порядок раз, и рост экспоненциальный. Если один грамм углерода окисляется миллиарды лет при 20 градусах Цельсия, то при выше 100 градусов, как помню всего пару часов, а при 220 не более пары минут. Точных цифр не помню, но порядок примерно такой.

А можно ссылку на конкретный документ где это написано? Так как эта организация выпускает большое количество документов для стандартизации и рекомендации при производству электроники, хотелось бы узнать точно документ, может там про что-то другое написано... Как слышал там все же первичная сушка от суток до трех при температуре 65-75 градусов, а второй этап сушки как вы написали около 125 градусов от получаса до трех часов, и третий этап в районе 175 непосредственно перед пайкой. По моим сведениям при температуре начиная от 70-80 градусов Цельсия, при повышении температуры на каждые 10 градусов, скорость деградации кристалла увеличивается где-то в два раза. Я не специализируюсь на микросхемах и их изготовлении, поэтому более точные цифры оставлю для людей специализирующихся на этом. От сюда при температуре 125 градусов, скорость деградации увеличивается от 2 в 4 степени до 2 в 5 степени, или в 16 или 32 раза. Т.е. при выдерживании кристалла при 125 градусов сутки, его ресурс снизится примерно на 16-32 суток непрерывной работы. Насчет напряжения согласен с Сергеем, там повышается вероятность перегрева и КЗ.

А почему вы ссылаетесь на устаревшую ревизию документа? Актуальная сейчас J-STD-020-E, документ уже два изменения притерпел.



Так цитируйте и ссылайтесь на авторитетные источники для опровержения. Или кишка тонка и больше чем на голословные обвинения не способна?

J-STD-020-C
---------- Добавлено спустя 12 минут 32 секунды: ----------

А вот теперь от вас документ

sasha_m да там можно было почти весь текст цитировать и просить обосновать, ибо там бред написан.

Мне так захотелось. В текущем стандарте пункт 5.4. Вопросы?

Перечитал документ. И честно говоря давно так не смеялся. После прочтения документа пришел к выводу, что все кто много лет понторезил знанием этого документа на этом ресурсе, сами не знают его и видимо читали с глубокого бодуна, чтобы потом понтоваться перед додиками. Если в вкратце там написано про 125 градусов плюс минусов 5 градусов при 48 часах сушки, для определения сухого веса чипа, а не для дальнейшей его запайки! Там еще есть такой пункт, что желательно некоторые чипы взвесить в течении 30 минут! А знаете зачем? Правильно, чтобы чип не успел набрать влагу и мы смогли определить сухой вес чипа. А дальше зная сухой вес чипа, мы можем взвесить влажный чип, вычесть из его веса сухую массу чипа и определить влажность! И исходя из этих данных выбрать стратегию и технологию сушки! Все. Больше там нигде не упоминается, что перед запайкой надо чип греть больше суток при 125 градусах. Видимо кто-то убивает чипы клиентов))))


ЛОЛ. Вы Гугл переводчиком не научились пользоваться? Там написано, что надо сушить, но про 125 градусов там написано именно только в контексте определения сухого веса. Перечитайте документ внимательно.

Спасибо, но я уже больше 20 лет читаю техническую литературу на английском и даже книги. Поэтому попросил первоисточник.

Flagmans

Неизвестно. Если его коптить в коптильне для свинины, то наверное да.

Как я понял, речь идёт о PC-Expert-е, который стал ложить кусок фольги на кристалл. Но он сам в каком-то ролике ответил на этот вопрос: он ложит кусок фольги для того, чтобы после пайки компаунд вокруг кристалла не поменял цвет и чип остался по виду, как новый.
Сам никогда не ложил фольгу на кристалл и всё прекрасно работает и без фольги на кристалле. Ради интереса последний раз положил кусок фольги на кристалл - действительно, компаунд вокруг чипа остался по цвету таким же, как и до пайки (если не ложить фольгу, то компаунд немного темнеет). Т.ч. это больше для эстетов...

nullik
Давай я за тебя дважды два сложу, или там умножу. Чипы надо сушить, и методика сушки описана в данном документе


Ну и там дальше по тексту. Гуглопереводчиком тебе сложновато будет, он в технических текстах не очень, да и то что переведёт ты не поймёшь.

А про dry weight там написано в пункте 8.2.2, а не в 5.4.

На счёт сушки чипов: сам никогда не сушил чипы и волдыри появлялись на чипах лишь пару раз за всё время. Да и чип тот был (какой-то ATI-шный видеочип, который на съёмные красные видяхи для Acer-ов шёл) такой, который рекомендовали реболлить на свинец, на что я забил болт, т.к. обычно никогда не перекатывал чип с безсвинца на свинец.
Сушка чипов: это как религия и атесит. Атеисты в бога не верят, а приверженцы религий - верят.

Ты совсем обнаглел уже?
5 PROCEDURE
5.4 Bake Bake the sample for 24 hours minimum at 125 +5/-0 °C. This step is intended to remove moisture from the
package so that it will be ‘‘dry.’’

Ты ж 20 лет читаешь, то есть намеренно врёшь? В разделе 8, а это OPTIONAL WEIGHT GAIN/LOSS ANALYSIS совсем про другое. Или, скорее, просто школьник-балабол.
---------- Добавлено спустя 3 минуты 42 секунды: ----------
Ciber SLasH
Есть такие рекомендации, следовать им или нет - дело каждого. Я это в качестве аргумента к вообще другому спору притянул.


Так-то согласен.

nullik в компанию к alegyr пошёл, хорошая функция у движка...

Может, если "участник" за пару недель не разродился на что-то внятное, viewtopic.php?p=836940#p836940

Leo_vrn
Я в одного столько тупняка не переварю, хотите - добивайте ногами "инженера"

Нулик, Вы явно троль! Или неуч полный!
Какой самораспад?
Окисление? Да он при тысячи градусах еле окисляется!
К тому же по поверхности получить защитный окисел было б просто здорово!
Причём здесь углерод???
И про какой тип углерода Вы нам рассказываете?
Или очередной безграмотный пук, или лукавство?