Ремонт: Ноутбуков, Компьютеров
https://vlab.su/

Замена мосфета 4C85N
https://vlab.su/viewtopic.php?f=48&t=101147		 Страница 1 из 1
dikabraz [ 29 мар 2020, 16:35 ]
Заголовок сообщения:  Замена мосфета 4C85N
Приветы! сдох сдвоенный 4C85N, могу заказать оригинал, а могу с донора поставить AOE6930. Делать так лучше не стоит, не так ли?) карта 1080, почти реф, 5 фаз, 1 погорела.
PS драйвер uP1962 тоже под замену? пробило верхний ключ во все стороны
madking [ 29 мар 2020, 17:57 ]
Заголовок сообщения:  Re: Замена мосфета 4C85N
еще может и шим надо менять
насчет донора, по характеристикам смотреть надо, но я бы заменил с драйвером вместе на AOE6930
dikabraz [ 29 мар 2020, 19:03 ]
Заголовок сообщения:  Re: Замена мосфета 4C85N
madking писал(а):
но я бы заменил с драйвером вместе на AOE6930


Имеете в виду, заменить мосфет на AOE6930 и драйвер на uP1962 ?
Разница в мосфетах- верхний ключ у 4C85N на 25А, а AOE6930- 22А, но имеет меньшую емкость зактвора, 1070 против 1900. По сопротивлениям канала вполне поъхоже, не думаю, что тепловыделение сильно повысится
dikabraz [ 31 мар 2020, 23:33 ]
Заголовок сообщения:  Re: Замена мосфета 4C85N
Молчат) Походу, проще будет мне пересадить гпу на доску с гпу, подпаленным по hdmi( при инициализации дров чернеет экран)
madking [ 31 мар 2020, 23:47 ]
Заголовок сообщения:  Re: Замена мосфета 4C85N
dikabraz писал(а):
Молчат

:men:
dikabraz [ 01 апр 2020, 01:44 ]
Заголовок сообщения:  Re: Замена мосфета 4C85N
Сообщение не в тему
madkink, шо то смайлик категорически ассоциируется с чуваком из роликов АСЦ на ютубе) Таки здасте)
madking [ 01 апр 2020, 02:43 ]
Заголовок сообщения:  Re: Замена мосфета 4C85N
Сообщение не в тему
не знаю о ком идет речь, абсолютно не в курсе.

моим смайликом имел в виду, что молча жую жвачку, так как свою точку я написал
но если есть карта на которую можно ставить ГПУ то тут нечего сказать.( дальше молчу и жую жвачку)
dennis85 [ 15 апр 2020, 18:16 ]
Заголовок сообщения:  Re: Замена мосфета 4C85N
21й век на дворе, а многие дальше MOSFET'ы в амперах меряют. Попробую осветить тему коротко.
Путеводная звезда расчета силового(и не только) транзистора есть температура его кристалла. 125, 150 или 175 градусов, желательно сильно не превышать).
Зависит она от суммы тепловых сопротивлений(итоговым в кристалл->среда) умноженных на рассеиваемую мощность, плюс температура среды.

Рассеиваемая мощность складывается из потерь переключения, потерь проводимости, и еще ряда потерь поменьше, таких как заряд обратного восстановления паразитного диода(мост/полумост), выходной эквивалентной емкости и потерь управления.
Потери переключения зависят от скорости переключения, коммутируемого напряжения и характера нагрузки(активная/индуктивная), а потери проводимости от сопротивления канала и проходящего тока(упрощенно).

Собственно максимальный допустимый ток есть функция максимальной температуры кристалла при максимальной рассеиваемой мощности при заданной температуре корпуса(которая подразумевает сумму тепловых сопротивлений).
Wire bond limit, геометрический размер кристалла и MTTI не трогаем). В полумостовой схеме(наш любимый синхронный stepdown) у верхнего ключа скважность <10% и у него преобладают потери переключения, у нижнего >90% и тут преобладают потери проводимости.

Сам MOSFET тем удельно лучше, чем ниже его емкость затвора Ciss, заряд затвора Qg, выходная эквивалентная емкость Crss, сопротивление канала Rds(ON) (обычно реальное значение от нижнего до среднего от заявленного),
заряд обратного восстановления паразитного диода Qrr, и при этом чем выше рассеиваемая мощность Pd(при 25 градусах на корпусе). У синхронного stepdown'а для верхнего ключа приоритетом параметров будет
Qg->Rds(ON)->Pd->Crss->Ciss->Qrr, для нижнего Rds(ON)->Qg->Pd->Ciss->Crss->Qrr.
Разумеется, значение сопротивление канала Rds(ON) и заряда затвора Qg берется для одного напряжения(скажем 10 или 4,5 вольта).

При сравнении желательно учитывать как минимум первую тройку параметров. Если совсем уж лень, по крайней мере посчитать индекс FOM=Rds(ON)×Qg и сравнивать по нему.
А на максимальные "токи" в рамках ремонтных мероприятий можно не смотреть ВООБЩЕ :-)

p.s. разработчики импульсных преобразователей конечно учитывают еще с десяток-другой параметров и нюансов, даже ток иногда имеет смысл, но для рядового ремонтника как правило нет смысла так углубляться.
Страница 1 из 1 Часовой пояс: UTC + 4 часа
Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group
http://www.phpbb.com/