Я конечно понимаю что я что то не понимаю, но чего именно не понимаю я пока не понимаю....
так вот... попал в руки тестер уже давно с китая. а пользоватся то часто не приходилось.
Вложение: 650202867_932.jpg
а как он работает? ну интересно же...решил разобратся...
даже пришлось по гуглить чтоб лишний раз не копатся...
попал в поле зрения ещё и usb .
Вложение: tv16weu3uM0.jpg
Вложение: iIIBUbqAylQ.jpg
смотрим внимательно, ну и видим такую картину...есть сопротивление- горит нормально
нет - не горит. замыкает или меньше положеного-яркость значительно меняется.
Вложение: тестер.jpg
(если честно даже откопал какой то старый донор и снял северный мост дабы убедится реально работает или нет.... да действительно верхние ряды перестали гореть...)
идём по мерим...материнку(целую), чтоб соображалка включилась...
черный щуп относительно чего, красным смотрим контакт разъёма
относительно +3,3 верхние 3ряда 50-60кОм
низ (А1-А13) 0-17кОм (видимо конденсаторы)
+5 верхние 3 45-65кОм
низ (А1-А13) 0-15кОм
+12 верхние 3 50-55кОм
низ (А1-А13) 0-15кОм
земля верхние 3 45-55кОм
низ (А1-А13) 0-15кОм
теперь наоборот красный щуп относительно чего чёрным смотрим
относительно +3,3 верхние 3 70-80кОм
низ (А1-А13) 0-30кОм
+5 верхние 3 70-85кОм
низ (А1-А13) 0-28кОм
+12 верхние 3 70-88кОм
низ (А1-А13) 0-29кОм
земля верхние 3 70-85кОм
низ (А1-А13) 0-27кОм
смотрим схему...и понимаем что в принципе нас интересует только земля...
пытаемся отмоделить схему на Proteus... и чёт как то мне по плохело...или я уже запутался или не то тыкал... горело только если сопротивление было около 1кОм....а больше нет....ну или очень тускло...
Относительно распиновки разъёма. на тестере у нас есть такие отметки:
VSS Ground (+батарейки)
нижний ряд
A0 to A13 Address input
BA0, BA1 Bank select address
/ RAS Row address strobe command
ODT0, ODT1 ODT control
/ CAS Column address strobe command
/ WE Write enable
/ CS0, / CS1 Chip select
CKE0, CKE1 Clock enable
верхние ряды
DQ0 to DQ63 Data input / output
CK0 to CK2 Clock input
/ CK0 to / CK2 Differential clock input
DQS0 to DQS7, / DQS0 to / DQS7 Input
and output data strobe
DM0 to DM7 Input mask
нет диодов
SCL Clock input for SPD
SDA Data input / output for SPD
VDDSPD Power for serial EEPROM
не разведено
VREF Input reference voltage
SA0 to SA2 Serial address input
VDD Power for internal circuit
VDDQ Power for DQ circuit
Ну в принципе вроде самое важное в нём есть...
З.Ы. надо найти ошибку моделе....
А ТЕПЕРЬ самое интересное...как оч ленивому человеку стало интересно, можно ли упростить себе жизнь с оперативками...
А конкретнее: возможно ли иметь возможность собрать аналогичною вещицу для самих планок DDR/2/3/4
ведь agp и pci тестер существует...(но там bga чип "яснопонятно") почему нету для планок...
мерим подопытных:
подопытный DDR1
A0 to A13 (11-18МОм)
BA0, BA1 (10-15МОм)
/ RAS (127-170кОм)
/ CAS (12-17 МОм)
/ WE (12-17 МОм)
CKE0 (12-19 МОм)
CK1 (12-19 МОм)
DQ0,DQ1,DQS0,DQ2 (8-12МОм)
подопытный DDR2 (мало данных(силы кончались,нудятина неимоверная), но картина аналогичная)
A0 to A13 5-7МОм
BA0, BA1 5-9МОм
/ RAS
ODT0, ODT1
/ CAS
/ WE
/ CS0, / CS1
CKE0, CKE1 (относительно + 2,5МОм к земле 0,5МОм)(к + 4 МОм к земле 7 МОм)
DQ0 to DQ63 (к + 4-9МОм к земле 10-12МОм)
CK0 to CK2
/ CK0 to / CK2
DQS0 to DQS7, / DQS0 to / DQS7 (к + 4-9МОм к земле 10-12МОм)
DM0 to DM7
И вот тут что то я завис окончательно...А возможно ли вообще это... с таким то сопротивлением. Или даже нет смысла?
Единственный тестер планок DDR встречающийся мне в природе, был видимо на микроконтроллере , с проверкой каждой банки, скорости , и инфы SPI памяти... жесткач впечатляющий но цены, ещё жёсче...
Хотелось бы что то по проще... Количество битых планок увеличивается, и хотелось бы иметь простой вариант понимание проблем с ними...(а там может и до ребола не далеко....;) )
|
