|
Текущее время: 22 ноя 2024, 00:55
|
Сообщения без ответов | Активные темы
|
Страница 1 из 1 [ Сообщений: 9 ] |
|
|
|
|
|
Corviys
[ТС]
|
Заголовок сообщения: Re: Вопрос по n-канальному транзистору на мат. плате Asus Добавлено: 03 июн 2018, 00:03 |
Я тут случайно |
|
|
Зарегистрирован: 02 июн 2018, 23:00 Наличности на руках: 14.02
Сообщения: 14 Откуда: Челябинск
|
foton73 писал(а): В мосфетах не зря в схематическом обозначении присутствует диод (сток-исток), поэтому да, он откроется в этом случае, через этот диод. падение напряжения будет зависеть от тока через транзистор, на малых токах это единицы мА, на максимальных десятки. какой транзистор, и какой ток через него был во время замера? Просто не понимаю, если разрыв на сток-исток в закрытом состоянии, то по идеи это не как не должно влиять на открытие сток-исток при подаче положительного потенциала на затвор и отрицательного на сток? Падение напряжения мерил мультиметром (в режиме падения напряжения), в интернете смотрел, что падение напряжение при открытом канале сток-исток должно быть не меньше 100 мВ (если транзистор нормальный). Транзистор D90N03, просто он на стоке дает напряжение на процессор вместо 1.3 вольт, 1 вольт. Вот и на него подозрения. Конечно может, дело и в ШИМ но это пока последние на что думаю. А вообще все началось с того, что пробило верхнее плечо. Это фазу благополучно убрал, но напряжение стало 1 вольт. Вот и думаю, что одно пробитое верхнее плечо могло подпортить другие транзисторы.
|
|
|
|
|
foton73
|
Заголовок сообщения: Re: Вопрос по n-канальному транзистору на мат. плате Asus Добавлено: 03 июн 2018, 00:53 |
Начинающий |
|
|
Зарегистрирован: 15 сен 2015, 00:47 Наличности на руках: 17.42
Сообщения: 279 Откуда: Москва
|
у мощных мосфетов очень маленькое сопротивление открытого канала, у STD90N03L оно равно 0,005 Ом при токе 40А и напряжении на затворе 10В. Соответственно падение напряжения будет 0,2В. Но если мерить тестером в обратном включении, то есть для n-канального, плюс тестера на исток, землю на сток, то в закрытом состоянии он покажет сопротивление внутреннего диода, а оно намного выше сопротивления открытого канала. фазу убрали, то есть отключили насовсем, и упало напряжение до 1 В?
|
|
|
|
|
Corviys
[ТС]
|
Заголовок сообщения: Re: Вопрос по n-канальному транзистору на мат. плате Asus Добавлено: 03 июн 2018, 04:39 |
Я тут случайно |
|
|
Зарегистрирован: 02 июн 2018, 23:00 Наличности на руках: 14.02
Сообщения: 14 Откуда: Челябинск
|
foton73 писал(а): у мощных мосфетов очень маленькое сопротивление открытого канала, у STD90N03L оно равно 0,005 Ом при токе 40А и напряжении на затворе 10В. Соответственно падение напряжения будет 0,2В. Но если мерить тестером в обратном включении, то есть для n-канального, плюс тестера на исток, землю на сток, то в закрытом состоянии он покажет сопротивление внутреннего диода, а оно намного выше сопротивления открытого канала. фазу убрали, то есть отключили насовсем, и упало напряжение до 1 В? foton73 писал(а): В мосфетах не зря в схематическом обозначении присутствует диод (сток-исток), поэтому да, он откроется в этом случае, через этот диод. падение напряжения будет зависеть от тока через транзистор, на малых токах это единицы мА, на максимальных десятки. какой транзистор, и какой ток через него был во время замера? Насчет открытого-закрытого канала вопрос снят, понял. Теперь другой вопрос, если там стоит диод, то при открытом канале (сток-исток), получается, если подать положительный потенциал на исток и отрицательный на сток, то диод должен звонится? А если подать отрицательный потенциал на исток и положительный на сток, то то диод не должен звонится? Правильно? У меня звонится в обе стороны при открытом канале, получается пробит диод? И если я правильно решил, то поясните на что влияет пробитый диод, конкретно здесь? И получается, можно говорить о том, что в закрытом канале на исток-стоке стоят два диода или это неверно? Фазу убрал это снял верхние и нижние плечо, катушки и конденсаторы оставил. Также на пробитой фазе случился, небольшой прогар (ну совсем небольшой), и сейчас по факту из трех фаз стоит только одна (две снял). И смущает, то что, на другой фазе(снятой, целой) на затвор подается 7 В, а на той фазе, которая еще не снята подается 10 В. На той фазе, где случился пробой не могу промерить, прогорело в том месте.
|
|
|
|
|
Corviys
[ТС]
|
Заголовок сообщения: Re: Вопрос по n-канальному транзистору на мат. плате Asus Добавлено: 03 июн 2018, 14:03 |
Я тут случайно |
|
|
Зарегистрирован: 02 июн 2018, 23:00 Наличности на руках: 14.02
Сообщения: 14 Откуда: Челябинск
|
foton73 писал(а): в открытом состоянии в обе стороны нулевое сопротивление, поэтому наличие диода никак не сказывается. в закрытом состоянии сток-исток должен звониться как диод. Понял, спасибо. Проблема в ШИМ, а вообще пробитие верхнего транзистора, могло ли как-то повлиять на ШИМ(испортить его)?
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Страница 1 из 1 [ Сообщений: 9 ] |
|
|
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения
|
|