|
Текущее время: 01 ноя 2024, 03:01
|
Сообщения без ответов | Активные темы
|
Страница 1 из 1 [ Сообщений: 3 ] |
|
|
|
|
|
Автор |
|
diagnoz
[ТС]
|
Заголовок сообщения: MSI K9N6PGM2-V2 MS-7309 ver. 2.1 завышенное напряжение памяти Добавлено: 03 мар 2021, 13:22 |
Интересующийся |
|
|
Зарегистрирован: 30 мар 2014, 18:14 Наличности на руках: 9.27
Сообщения: 81 Откуда: Украина
|
Здравствуйте. Данная плата запускается без инициализации. POST-карта говорит коды d2/d3. Тактильно обнаружил довольно сильно греющиеся микросхемы на планке ОЗУ. Произвел следующие замеры на слоте памяти и вот какой результат: на 64 pin - 3,8V/3,9V! вместо 1,8V, напряжение Vref - 1.9V, напряжение терминации - 1,65V. Аналогичные напряжения на микросхеме расположенной возле слота ОЗУ, nuvoton w83312sn, на ее соответствующих выводах, да и сама микросхема очень сильно калится. Смущает довольно низкое сопротивление на первом контакте микросхемы w83312sn - VCC_DDR порядка 17 Ом. Эта микросхема калится и без планки памяти. Сама планка думаю не выжила после поступления на нее вдвое большего напряжения, а там не знаю, еще отдельно не проверял ее. Рядом стоящие транзисторы проверял выпаивая - исправны. Микросхема uP6103s8 вроде бы тоже исправна. Снимал эти все компоненты, но сопротивление на первой ноге w83312sn не меняется. Саму w83312sn еще не снимал, так как в очень неудобном для пайке месте находится среди разъемов, но видимо придется снимать и ее, возможно она и неисправна, а возможно и ее что-то садит. Помогите советом или какую еще нужно предоставить информацию для решения проблемы? Спасибо.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Страница 1 из 1 [ Сообщений: 3 ] |
|
|
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения
|
|