Имеется GTX690 с пробитым нижним плечом в системе питания моста PEX8747.
Верхнее плечо спас предохранитель, но ясно что он подвергся перегрузке и его тоже под замену.

Система питания однофазная, управляется ШИМ ISL6545-aibz, мосфеты в корпусах 3x3мм,
верхнее плечо - AON7430 http://aosmd.com/res/data_sheets/AON7430.pdf
нижнее плечо - маркировано M3006M, без логотипа фирмы
Это по-видимому QM3006M6 http://www.ubiq-semi.com/files/1738/885 ... d1c66ed1d0 (или QM3006M3 http://www.ubiq-semi.com/files/1737/cdc ... d1c66ed1d0).

Понижение происходит с 12V до, по-видимому, 0.9V. Мощность потребителя - порядка 8W.

Как верхнее, так и нижнее плечо N-канальные мосфеты, в одинаковом корпусе, с одинаковым V-drain-source=30V, V-Gate открытия - в пределах 1.2-2.5 V.

Разница согласно datasheet следующая разница в верхней границе рабочих для видеокарт диапазоне температур T_Ambient=70°C:
У AON7430 : Continuous Drain Current =10.2A, сопротивление канала R-Drain-Source = 12mΩ, Total Gate Charge (при 10V на ключ) = 14nC, задержки вкл/выкл 4/17 ns
У QM3006M6: Continuous Drain Current =12A, сопротивление канала R-Drain-Source = 4.5mΩ, Total Gate Charge (при 4.5V на ключ) = 20nC, задержки вкл/выкл 8/37 ns

На амперные характеристики при низких температурах по идее смотреть нет смысла, поскольку они не соответствуют применению в видеокартах (хотя они и написаны в списке "основных" и там гораздо больше чем 10-12 ампер).

Из datasheet видно, что у нижнего плеча несколько бОльшие токовые возможности и меньше сопротивление, а у верхнего - несколько меньше задержка.

Основной вопрос: в чём причина того, что на нижнее и верхнее плечи производители ставят разные мосфеты?
На первый взгляд на оба плеча подойдёт более энергоэффективный QM3006M6, но я не помню чтоб хоть в одной системе питания мосфеты были одинаковые. Не очень верится что из-за задержки.

При подборе аналога - какие параметры более важны для нижнего, а какие для верхнего плеча? А то у меня получается что из легко доступной линейки International Rectifier - на оба плеча аналог один и тот же - IRFHM831PbF - https://lib.chipdip.ru/311/DOC000311303.pdf Как будто я что-то не учитываю.

Если внимательно посмотреть на работу верхнего и нижнего ключей,то то можно увидеть следующее: верхний ключ работает при более высоком напряжении и меньшем токе,чем нижний,который работает при более низком напряжении и высоком токе.Поэтому требование к нижнему ключу - пропускать большой ток, и иметь малое внутренне сопротивление в открытом состоянии,для того чтобы меньше грелся.

Разница в токе и тепловыделении ясна; но тогда почему не ставят на оба плеча такие же энергоэффективные мосфеты как на нижнее? Корпус-то одинаковый.

возможно из-за разницы в цене

как правело горит только верхний ключ (который по плюсу) а нижний можно и не трогать но если уж так принцыпиально и нет таких транзисторов в продаже то просто найдите аналоги по мощности на любой карте доноре и снимите сразу оба , с другими фазами они обычно работают нормально даже при разнице в транзисторах - фазы в большинстве случаев имеют обратную связь и будут подстраивать и компенировать отличия в работе других транзисторов.

A это именно так...

После установки на верхнее плечо "быстрого" Infineon IRFHM831TR2PBF, а на нижнее - "низкоомного" Infineon IRFHM830DTRPBF - карточка завелась.

Запустил с амперметром вместо выгоревшего предохранителя - в простое потребление моста - порядка 0.6А (по 12v). Новый предохранитель поставлен - самовосстанавливающийся MF-MSMF260-2, ибо ничего более подходящего маленького размера в продаже не нашлось(

Мелкие предохранители есть на донорах, но нет никакой маркировки - не ясно на какой они ток.

2.6A у него при комнатной температуре, при 85° выдерживает 1.05А, надеюсь что работать будет.