Здравствуйте, хотел бы переделать Asus GT 620 1Gb DDR3 в GT 620 2Gb DDR3, есть комплект памяти SO-DIMM DDR3 2шт (4Gb+4Gb) Kingston HyperX Impact HX316LS9IBK2/8. На одной плашке памяти как раз 8 чипов памяти DDR3 от Samsung, а на видеокарте тоже 8 чипов памяти DDR3 от Samsung .
Кто может подсказать: 1) правильно я расшифровал чипы памяти на видеокарте и SO-DIMM планке 2) Можно их заменить и после прошивки Bios от 2Gb версии GT 620 заработает ?







Видеокарта Asus GT-620 1Gb DDR3 (чипов памяти 8шт) Память Samsung
SEC 240 GC15
K4W1G0846S
GEI18CCP
--------------------------------------------------
K4W1G0846S
K / 4 / W / 1G / 0 / 8 / 4 / 6 / S
Samsung / DRAM / gDDR3 SDRAM / 1G: 1G, 8K/64ms / хз / 8 банок памяти / хз / 1,5V / хз
**************************************************
Память SO-DIMM DDR3 2шт (4Gb+4Gb)
Kingston HyperX Impact
HX316LS9IBK2/8
чипов памяти на 1ой плашке 8шт
чипы памяти подписаны как

Kingston
N10716-02
2037 CA22HN
D5128ECMOPGJA
MNP759000E

--------------------------------------------------
HX316LS9IBK2/8
HX3/ 16 / L / S / 9I / B / K2 / 8
ХЗ / Скорость 1600 /1,35 V / Одноранговая / 8 чипов / Профиль /Комплект из 2шт /Общий комплект из 2 планок 4+4 = 8Gb

а разве под кингстон есть биос?

Купил Samsung DDR3 с Avito (проверить не на чём)
2 планки по 2 Gb
SEC 222 HCH9
K4B2G0846C
ELDEB3ACP




Прошил Bios от Asus 2Gb DDR3. Запаял банки памяти, вот результат от MATS 367.38.1

mats version 367.38. Testing GF108 with 20 MB of memory starting with 0 MB.
Errors found. Use -matsinfo for details.
This message will only appear once.
SUBPART RANK0 RD ERR RANK0 WR ERR UNKNOWN ERR
------------- ------------- ------------- ------------
FBIOA[ 31: 0] 0 3722880 0
FBIOA[ 63: 32] 0 5258208 0

Rank 0 Failing bits:
A010 A040 A041 A042 A043 A044 A045 A046 A047 A048 A049 A050 A051 A052 A053 A054
A055
Read Error Count: 0
Write Error Count: 8981088
Unknown Error Count: 0

BIT RANK0 WRITE RANK0 READ UNKNOWN
--- ----------- ---------- -------
A010 465696 0 0
A010 465319 0 0

****************************

A055 491604 0 0
A055 491604 0 0

ADDRESS EXPECTED ACTUAL REREAD1 REREAD2 FAILBITS TPSEIB ROW COL
---------- -------- -------- -------- -------- -------- ------ ---- ---
000135ec9c 00000000 00000400 00000400 00000400 00000400 WA0027 0135 3e7
000135ec98 00000000 00000400 00000400 00000400 00000400 WA0026 0135 3e6
000135ec94 00000000 00000400 00000400 00000400 00000400 WA0025 0135 3e5

********************************************************************

0000d1e718 00000000 00000400 00000400 00000400 00000400 WA0006 00d1 366
0000d1e714 00000000 00000400 00000400 00000400 00000400 WA0005 00d1 365
0000d1e710 00000000 00000400 00000400 00000400 00000400 WA0004 00d1 364
if you are getting failure for first MBof FB then try option -no_scan_out
Error Code = 00000001


####### #### ######## ###
####### ###### ######## ###
## ## ## ## ###
## ## ## ## ###
####### ######## ## ###
####### ######## ## ###
## ## ## ## ###
## ## ## ######## ########
## ## ## ######## ########

Как будто видно 2 банки памяти или есть какие то страпы MATS 367.38.1 первый раз с 1Gb DD3 не делал тест, забыл может их так и должно быть ?

ищи родную память, и не с планок ддр3, а с видюх, она разная
K4W2G0846P HC15 вроде должна подойти

Либо 2 банки одного канала верхняя-нижняя не припаяны совсем либо одно из двух.

Пропаял картинка стала лучше, в конце когда пропаивал и пошатывал банки памяти был хлопок маленький, кажется шариком стрельнуло или ещё что то.
mats version 367.38. Testing GF108 with 20 MB of memory starting with 0 MB.
Errors found. Use -matsinfo for details.
This message will only appear once.
SUBPART RANK0 RD ERR RANK0 WR ERR UNKNOWN ERR
------------- ------------- ------------- ------------
FBIOA[ 31: 0] 0 0 0
FBIOA[ 63: 32] 0 3933312 0

По своему небольшому опыту скажу что это нехорошо. В переходных отверстиях закипел флюс и они стрельнули, обычно это грозит физическим обрывом переходного отверстия с очень геморным восстановлением при котором придется снимать все и чип и память чтобы вызвонить связь пятаков.

Выпаял банки памяти M1 M2 M3 M4 ошибки не изменились, получается или плохо припаял или в банках памяти проблемы или что то ещё.
Есть ещё одна плашка с 8 банками памяти этой же Samsung DDR3 - если что от туда возьму.

Посадочные места под пятаки вроде в норме, вздутия текстолита не видно

mats version 367.38. Testing GF108 with 20 MB of memory starting with 0 MB.
Errors found. Use -matsinfo for details.
This message will only appear once.
SUBPART RANK0 RD ERR RANK0 WR ERR UNKNOWN ERR
------------- ------------- ------------- ------------
FBIOA[ 31: 0] 0 0 0
FBIOA[ 63: 32] 0 8184320 0

Если эти снимки без фотошопа то микрсхемы откровенно перегреты, просто чрезвычайно, как и текстолит.

Да о каком понимании, навыке и профессиональном оборудовании можно говорить, если память меняют с планок DDR3. Вполне ожидаемая картина.

В общем итог такой: я так понял флюс попал меж слоев текстолита ( в районе ХВОСТИКА защелки PCI-E у видеокарты), так как меняв новые чипы М1,М2,М3,М4 - увидел как из того места идут пузыри из флюса. Получается сам виноват что перегрел плату и попал флюс внутрь платы.
А так сработало бы с заменой чипов памяти.
FBIOA[ 31: 0] 0 0 0
FBIOA[ 63: 32] 0 3933312 0




Тему думаю можно закрывать из-за того, что сам виноват