понемногу продвигаюсь. насколько я понял, при изменении состояния VID1 с "0" на "1", напряжение памяти меняется с 1.5в на 1.35в. так что дело не в нем.
сразу не заметил, но резистор датчика тока (0.005 Ом) по 12в, формирующий =PP12V_S0_REG_FBVDDQ имел явно завышенное сопротивление. Заменил его вместе с силовыми транзисторами. включил, появилось 1.5В на памяти. пока мерил остальные напряжения, менее чем за минуту работы снова сгорел резистор и пробило ключи
.
сопротивление на PPFBVDDQ со снятыми транзисторами 66 Ом... разбираюсь дальше.