Сабж.
Не включается. На кнопке +3,3В есть, генерация присутствует, БИОС прошит.
Не буду утомлять с напряжениями - скажу, что есть ВСЕ, кроме одного: 3VSB.
Как узнал? Начал отслеживать сигналы на мульт. Обнаружил, что RSMRST# = 0, 3VSB = 0,25В. При нажатии PWRBTN# мульт отрабатывает, RSMRST# как и 3VSB поднимается до 0,48В.

Ок, подал с лабораторника на 3VSB положенные 3В - плата стартует в безконечный ребут. При этом на RSMRST# и на 3VSB = 3В (без просадок, потребляемый ток 0,17А).
Алгоритм запуска №1: "3В на 3VSB --> PWRBTN" - приводит к рециклу.

Попробовал другой:
Алгоритм запуска №2: "Зажать PWRBTN --> 3B на 3VSB --> отпустить PWRBNT" - плата стартует и исправно работает. Снимаю 3В - сразу тухнет.

Вопросы к знатокам:
1. 3VSB формируется от 5VSB?
2. Заниженное напряжение по 3VSB - кто-то садит на землю?
3. Что искать: ЛДО, транз. или шоттке?

З.Ы. Без лабораторника на Q812 сток = 3VSB (0,25В), исток (3,3В), затвор (5,0В). При нажатии PWRBTN: сток (0,48В), исток (3,3В), затвор (3,3В). Сток-затвор = безконечность. Он? Или я напутал без схемы?

скачать бордвью на плату и посмотреть (выбрать подобную модель, все они одинаково построены)

Скачал борд на H61M-HVGS (мульты одинаковые). По данной борде 5VSB с колодки через ЛДО Q810 (APE1117K) формирует +3VSB_A, которое как раз и приходит на исток Q812 (P_Ch) в виде 3,3В, а так же на мульт через нераспаяный резистор на RSMRST#.

На затвор Q812 приходит SLP_SUS_FET (5,0В), который понижается до 3,3В при замыкании PWRBTN. SLP_SUS_FET зависит от SLP_SUS# от хаба и, судя по падению напряжения, хаб отрабатывает.

Я всё, куда дальше?

Q812 - р-канальный, на затворе должен быть ноль. попробуйте его заменить. (падает до 3 вольт, а должно до нуля)
кстати, я бы еще проверил как отрабатывает GQ17, он может не досаживать 5 вольт до нуля. что у него на базе, а что на коллекторе?

Перемерил.
Q812: в дежурке оказывается 3,3В на затворе, при запуске 3,3В остается.
GQ17 (PMBS3904_NPN): в дежурке и при запуске на Б и К - по нулям (Э=земля). На резисторе со стороны Б = 3,3В (SLP_SUS#), на резисторе со стороны К = 3,3В (SLP_SUS_FET) - затвор Q812. Транз звонится во все стороны. Он?

похоже что он. пробуйте заменить.
но если все замеры правильные - то как тогда на затворе q812 оказывается 3 вольта, если на коллекторе gq17 - ноль?

Выпаял GQ17 (W04) - пробитый. Заменил на t04 - запуска нет. Выпаял, замерил напруги в дежурке: на точке Б = 3,3В, на точке К = 5,0В (с ЛДО).

Запаял снова, но уже W04 - картина не поменялась, поменялись напряжения:
Q812 - затвор, было 3,3В, стало 2,54В.
GQ17 - база, было 0В, стало 0,7В; коллектор, было и осталось 0В.

Заметил на SQ10 на базе 0,66В (К = 0В) в дежурке при при запуске. Также за резистором базы GQ17 висит резюк 0 Ом, второй конец которого я не нашел. В дежурке на нем 0В, при запуске 3,3В.
---------- Добавлено спустя 39 минут: ----------
Решил проверить и подал на базу GQ17 3,3В - транзюк полыхнул. Видимо, 0,7В - это и есть управляющий сигнал, хотя...
---------- Добавлено спустя 2 часа 34 минуты 19 секунд: ----------

Как я уже написал, что при снятом GQ17 на затвор Q812 приходит 5В (точнее, 5,1В) - это ATX+5VSB.
На базе GQ17 присутствует 0,7В, значит КЭ открывается и через резистор 8,2 кОм наше +5,1В садится на землю (Э), а через резистор 10 кОм идет на затвор Q812 в виде 2,54 В = делитель?

Поправьте меня, если я не прав: Q812 - P-Ch полевик, на затвор которого приходит 2,54В, а на исток 3,3В, т.о. напряжение ЗИ=2,54-3,3=-0,76В. Согласно даташита Gate Treshold Voltage = -0,5 .. -1,25V, т.е. полевик открыт и должен пропустить +3VSB ? И он его поднимает с 0,2В до 0,48В. Недостаточно...

З.Ы. На мульте 75 нога (RSMRST#) = 17 Ом без поднятия.

о боже, сколько непонятных для меня действий и умозаключений...
1. начинаем сначала. не может напряжение приходить через нераспаянный резистор. туда приходит +3VSB через распаянный OR738.
2. +3VSB формируется из +3VSB_A, через Q812, который должен открыться, если на его затворе будет низкий уровень (около нуля).
3. напряжение на затворе Q812 будет равно напряжению на коллекторе GQ17. (никаких делителей! там только ограничительный резистор по току GR777, напряжение или 5 или 0 (падением на переходе пренебрегаем))
4. никогда не делайте так!
5. замените Q812 и GQ17, на ТАКИЕ ЖЕ. если не поможет, вероятно или мульт или хаб дохлый (из вашего "На мульте 75 нога (RSMRST#) = 17 Ом без поднятия.")

Сдул: Q812 + GQ17.
Q812 - не пробит, открывается, закрывается (падение 550мВ). GQ17 даже смотреть не стал - все равно он пыхнувший. Единственное, что обнаружил, что оригинальный был WO4, а заменил на W04 (через "ноль"). По даташиту различие только в корпусах: PMSB3904 (SOT23) vs PMSS3904 (SOT323). Думаю, не критично...

По сопротивлениях: 17 Ом с RSMRST# ушло, фактически 6,5 кОм. Причина банальна - батарейка. По линии +3VSB = 1,8 кОм - ничего садить не должно.

Заплавлю новые - напишу...

Итак, поставил на GQ17 - tO4, Q812 не устанавливал, решил проверить, откуда берется это паразитическое напряжение 2,54В на затворе Q812. Обнаружилось, что без установленного Q812 2,54В ПРИСУТСТВУЕТ! Хотя на коллекторе GQ17 оно равно 0!

Затвор Q812 имеет общую точку с затвором Q811, резистором GR777 и кондером GC801:
GR777 10кОм - в норме;
GC801 - не пробит на землю;
Q811 - остается только ОН! При дежурном напряжении имеет на Истоке 5,11В (ATX+5VSB), на Стоке 5,11В (+5VSB) и на затворе +2,54В (SLP_SUS_FET).

Q811 - новый подозреваемый?

Итак! Скинул Q811 - пробит затвор-исток (800мВ). На его место установил исправный Q812 - напряжение на затворе 0,18В ! Почти победа, осталось только найти аналог AP2301GN...


Материнок 10 уже перерыл - НИГДЕ НЕТ! Даже аналога. Только сейчас на старой видюхе нашел P-MOSFET N5Wb (Si2305CDS), но у него Vds всего -8В. Потянет?

Установил на место Q812 P-MOSFET N5Wb (Si2305CDS) Vds= -8V.
В итоге: затвор = 0В, исток = сток = 3,3В.

Плата запустилась, прошла тесты.
Ремонт окончен, всем (aleksros) спасибо!