21й век на дворе, а многие дальше MOSFET'ы в амперах меряют. Попробую осветить тему коротко.
Путеводная звезда расчета силового(и не только) транзистора есть температура его кристалла. 125, 150 или 175 градусов, желательно сильно не превышать).
Зависит она от суммы тепловых сопротивлений(итоговым в кристалл->среда) умноженных на рассеиваемую мощность, плюс температура среды.
Рассеиваемая мощность складывается из потерь переключения, потерь проводимости, и еще ряда потерь поменьше, таких как заряд обратного восстановления паразитного диода(мост/полумост), выходной эквивалентной емкости и потерь управления.
Потери переключения зависят от скорости переключения, коммутируемого напряжения и характера нагрузки(активная/индуктивная), а потери проводимости от сопротивления канала и проходящего тока(упрощенно).
Собственно максимальный допустимый ток есть функция максимальной температуры кристалла при максимальной рассеиваемой мощности при заданной температуре корпуса(которая подразумевает сумму тепловых сопротивлений).
Wire bond limit, геометрический размер кристалла и MTTI не трогаем). В полумостовой схеме(наш любимый синхронный stepdown) у верхнего ключа скважность <10% и у него преобладают потери переключения, у нижнего >90% и тут преобладают потери проводимости.
Сам MOSFET тем удельно лучше, чем ниже его емкость затвора Ciss, заряд затвора Qg, выходная эквивалентная емкость Crss, сопротивление канала Rds(ON) (обычно реальное значение от нижнего до среднего от заявленного),
заряд обратного восстановления паразитного диода Qrr, и при этом чем выше рассеиваемая мощность Pd(при 25 градусах на корпусе). У синхронного stepdown'а для верхнего ключа приоритетом параметров будет
Qg->Rds(ON)->Pd->Crss->Ciss->Qrr, для нижнего Rds(ON)->Qg->Pd->Ciss->Crss->Qrr.
Разумеется, значение сопротивление канала Rds(ON) и заряда затвора Qg берется для одного напряжения(скажем 10 или 4,5 вольта).
При сравнении желательно учитывать как минимум первую тройку параметров. Если совсем уж лень, по крайней мере посчитать индекс FOM=Rds(ON)×Qg и сравнивать по нему.
А на максимальные "токи" в рамках ремонтных мероприятий можно не смотреть ВООБЩЕ
p.s. разработчики импульсных преобразователей конечно учитывают еще с десяток-другой параметров и нюансов, даже ток иногда имеет смысл, но для рядового ремонтника как правило нет смысла так углубляться.