Приветствую коллег по ремонту! Попал в руки очередной поциент и диагнозом на память. MATS показывает, что одни банка вылетела, но у меня вопрос немного в другом, MATS показывает 12 банок памяти, а по факту их 24. Вопрос - они как тогда вообще электрически соединены? параллельно? а далее идет расширение адресного пространства?

16 дорожек данных идeт на одну микросхему памяти, 16 на другую. Адресная и большинство других шин по которым данные идут в направлении gpu->память - общие. Микросхема памяти при этом знает об этом и всю своою ёмкость использует для хранения этих 16 битных слов (а не просто хранит их ка части 32битных расходуя половину памяти впустую).

Называтся такое - gddr5 "Clamshell" или "x16" mode. Краткое описание, в т.ч. и подключения - есть тут (см. главу про clamshell на 4-5 страницах): https://www.micron.com/-/media/client/g ... uction.pdf

mats после вывода информации о количестве ошибок по каналам - выводит детадбную информацию по конкретным битам данных. Эта информация осмысленна только в том случае, когда все данные адреса и команды до модуля доходят нормально. Каждой микросхеме памяти соотвествует 32 бита, т.е. когда микросхемы на одной стороне первой микросхеме - A032-A063, второй A000-A031, третей - B032-B063 и т.д.


Если в пределах одной микросхему mats указвает на все найденные неисправные биты, например выведет все числа A000-A031 - то возможно что модуль "вцелом" не работает, например из-за проблем с доставкой адреса.

В случае режима Clamshell, по идее происходит дельнейшее подразделение диапазона, половина бит из A032-A063 соответствует одной стороне, половина другой. Какое там разделение первые16/последние16 или бит за битом - не знаю, никогда mats на такой карте не запускал.
Теоретически это можно понять, временно вырубив одну микросхему памяти. Для этого при наличии Clamshell можно использовать находящиеся рядом с каждой микросхемой 120Ом резистор. У него один контакт на ZQ микросхемы, а второй на землю - включаем параллельно переменный резистор и временно понижаем ео сопротивление до тех пор, пока микросехма не начнёт отображаться в mats как ошибочная

(после отключения переменника и перезагрузки - микросхема снова прекрасно работает. Ну, гарантировать я это не буду, но у меня ни разу не портилось, там большого тока от такого издевательства вроде нигде не возникает...).

У меня к вам, как к имеющему на руках GTX TITAN X - встречный вопрос, если не затруднит:

• сообщите пожалуйста маркировку ваших чипов памяти
• померяйте резисторы (просто в вплате, без выпаивания, с точностью 1КОм). С лицевой стороны в красном прямоугольнике - по идее распаяно 3 горизонтальных резистора из 6, нужны их положения и номиналы
  Вложение:
  titanx-scan-front-resistors.jpg

а ну собственно данная картинка многое объясняет



плюс мне как обычно карты достаются после "шарящих", на данном поциенте поставили чипы памяти аж трех модификаций, хотя однажды у меня была карта с тремя вендорами чипов. Я думаю не зря в дашашите пишут подобное. Плюсом еще удалили кондеры фильтрации питания хвостов +12В



В общем картина следующая
HYNIX H5GQ4H24AJR-R4C - 20ШТ
HYNIX H5GQ4H24AJR-R0C - 2ШТ
HYNIX H5GQ4H24AJR-T2C - 2ШТ - вот как раз ошибки по ним и идут, не исключено что пробиты

Плюс до кучи у меня сопротивление по памяти <10 Ом ((((


По вашему вопросу


Желтым пометил страпы относительно плюса
Бирюзовым относительно массы
Их кстати всего 5 :)

исходя из этой разб..довки


полагаю вендором управляет всего одно сопротивление

Кстати частота памяти на микросхемах T2C, которые у вас не работают, по datasheet - всего 2.5 Ghz. А на Titan X (Maxwell) - частота памяти 3.5 Ghz. Я не уверен какая она в момент перевичной инициализации, но теоретически это может быть проблемой... R0C формально тоже медленее, но вроде видел его с завода на картах с 3.5Ghz.

Все частоты даны в шкале спецификаций hynix. Эта шкала в 2 раза больше чем шкала частоты 1750Mhz в GPU-z, и в 2 раза меньше, чем шкала effective speed 7Ghz в маркетинговых материалах.


Насчёт сопротивления, для hynix действительно маловато, но не факт что фатально. Для сравнения - 980ti (12 модулей) c hynix- ~65Ом, 980ti (12 модулей) c samsung- ~13Ом (полностью исправна).

Нет, на maxwell существенных страп-резисторов всего 3 шт, те что рядом с микросхемой ROM (спасибо за замер).

На текстолитах под maxwell - отдельных от ROM 5ти резисторов, что были для kepler - или вообще не разведено, или они не распаяны. На самих чипах GPU maxwell 4 из 5 strap - просто No contact (проверял на 980ti). Единственный разведённый - на той картинке, что вы показали, в колонке maxwell - называется GC6 - и он на первый взгляд не является "интересным", какой-то режим энергосбережения активирует/деактивирует. Он есть, но его я в расчёт не беру.

А интересных резисторов на maxwell только 3 шт, они в т.ч. описывают память (дополняют вашу первую картинку).

да, 65-70 это норма, при условии, что если контроллер памяти полностью исправен и его сопротивление ровно около 400 Ом(проверено на полностью исправном гпу), ну и сами чипы по 1,5-2кОм по питанию каждый - в сумме получаем выше написанное :)


согласен, я думаю тут присутствует запас по скорости, так на всякий.

Ну а по страпам, исходя из мои замеров, подходит эта колонка получается, ну та, что справа, как итог - вендором управляет один страп что-ли....

---------- Добавлено спустя 1 минуту 59 секунд: ----------


Я имел ввиду посадочным мест 5, а используются да 3

somebody can tell what resistance including tolerance should be on hynix DQ pins with both memory and GPU onboard? also it is standard, or differs between amd/nvidia?